晶圓切割（Wafer  Dicing）時(shí)UV切割膠帶使用

晶圓切片(wafer dicing)。 

  在過去三十年期間，切片(dicing)系統(tǒng)與刀片(blade)已經(jīng)不斷地改進(jìn)以對付工藝的挑戰(zhàn)和接納不同類型基板的要求。最新的、對生產(chǎn)率造成最大影響的設(shè)備進(jìn)展包括：使兩個(gè)切割(two cuts)同時(shí)進(jìn)行的、將超程(overtravel)減到最小的雙軸(dual-spindle)切片系統(tǒng)；自動(dòng)心軸扭力監(jiān)測和自動(dòng)冷卻劑流量調(diào)節(jié)能力。重大的切片刀片進(jìn)步包括一些刀片，它們用于很窄條和/或較高芯片尺寸的晶圓、以銅金屬化的晶圓、非常薄的晶圓、和在切片之后要求表面拋光的元件用的晶圓。許多今天要求高的應(yīng)用都要求設(shè)備能力和刀片特性兩方面都

最優(yōu)化的工藝，以盡可能最低的成本提供盡可能高的效率。

UV膜（UV切割膠帶）在該切割過程中是必不可少的，一定程度上切割工藝的成功與否很程度上取決于UV膜（UV切割膠帶）的選擇。

切片機(jī)制(The Dicing Mechanism) 

  硅晶圓切片工藝是在“后端”裝配工藝中的第一步。該工藝將晶圓分成單個(gè)的芯片，用于隨后的芯片接合(die bonding)、引線接合

(wire bonding)和測試工序。 

  一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)的研磨盤(刀片)完成切片(dicing)。一根心軸以高速，30,000~60,000rpm (83~175m/sec的線性速度)轉(zhuǎn)動(dòng)刀片。該刀片由

嵌入電鍍鎳矩陣黏合劑中的研磨金剛石制成。 

  在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的專用切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過幫助去掉碎片而延長刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切

口)與刀片的厚度成比例。